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第一章 氮化鎵相關概述
1.1 氮化鎵基本介紹
1.1.1 氮化鎵基本概念
1.1.2 氮化鎵形成階段
1.1.3 氮化鎵性能優(yōu)勢
1.1.4 氮化鎵半導體作用
1.2 氮化鎵材料的特性
1.2.1 結(jié)構特性
1.2.2 化學特性
1.2.3 光學特性
1.2.4 電學性質(zhì)
1.2.5 磁學特性
1.3 氮化鎵的制備方法
1.3.1 金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術
1.3.2 分子束外延（MBE）技術
1.3.3 氫化物氣相外延（HVPE）技術
1.3.4 懸空外延技術（Pendeo-epitaxy）
第二章 2022-2024年半導體材料行業(yè)發(fā)展綜述
2.1 半導體材料相關概述
2.1.1 第一代半導體材料
2.1.2 第二代半導體材料
2.1.3 第三代半導體材料
2.1.4 半導體材料的應用
2.2 2022-2024年全球半導體材料發(fā)展狀況
2.2.1 市場規(guī)模分析
2.2.2 市場態(tài)勢分析
2.2.3 區(qū)域分布狀況
2.2.4 細分市場結(jié)構
2.2.5 產(chǎn)業(yè)重心轉(zhuǎn)移
2.3 2022-2024年中國半導體材料行業(yè)運行狀況
2.3.1 行業(yè)發(fā)展特性
2.3.2 市場發(fā)展規(guī)模
2.3.3 企業(yè)注冊數(shù)量
2.3.4 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級
2.3.5 應用環(huán)節(jié)分析
2.3.6 項目建設動態(tài)
2.4 半導體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對策
2.4.1 行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2 產(chǎn)品同質(zhì)化問題
2.4.3 供應鏈不完善
2.4.4 行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5 行業(yè)發(fā)展思路
2.5 半導體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
2.5.1 市場結(jié)構性機會
2.5.2 行業(yè)發(fā)展前景
2.5.3 行業(yè)發(fā)展趨勢
2.5.4 新型材料展望
第三章 2022-2024年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
3.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1 產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3 產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4 國產(chǎn)化的進展
3.2 2022-2024年氮化鎵市場發(fā)展狀況
3.2.1 氮化鎵市場發(fā)展變局
3.2.2 氮化鎵市場產(chǎn)值規(guī)模
3.2.3 氮化鎵應用狀況分析
3.2.4 氮化鎵應用技術突破
3.2.5 氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化進展
3.3 氮化鎵技術專利申請狀況
3.3.1 中國氮化鎵專利申請狀況
3.3.2 中國氮化鎵專利技術構成
3.3.3 中國氮化鎵專利申請人分析
3.3.4 中國氮化鎵專利發(fā)明人分析
3.3.5 中國氮化鎵技術創(chuàng)新熱點
第四章 2022-2024年氮化鎵企業(yè)競爭情況分析
4.1 2022-2024年全球氮化鎵企業(yè)競爭分析
4.1.1 全球氮化鎵市場區(qū)域競爭
4.1.2 全球氮化鎵企業(yè)競爭格局
4.1.3 全球氮化鎵企業(yè)市場份額
4.1.4 全球氮化鎵企業(yè)布局情況
4.1.5 全球氮化鎵企業(yè)投資并購
4.1.6 全球氮化鎵中國企業(yè)布局
4.2 2022-2024年中國氮化鎵企業(yè)競爭分析
4.2.1 國內(nèi)氮化鎵競爭態(tài)勢
4.2.2 國內(nèi)氮化鎵集中度
4.2.3 國內(nèi)氮化鎵企業(yè)研發(fā)及創(chuàng)新
4.2.4 國內(nèi)氮化鎵廠商布局
4.3 氮化鎵快充市場主要廠商及制造工廠
4.3.1 氮化鎵快充市場發(fā)展現(xiàn)狀
4.3.2 主要廠商及其合作伙伴
4.3.3 氮化鎵快充制造工廠
4.3.4 未來技術發(fā)展趨勢分析
4.4 GaN器件主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布
4.4.1 GaN電力電子器件
4.4.2 GaN光電子器件
第五章 2022-2024年氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析
5.1 發(fā)光二極管（LED）
5.1.1 發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
5.1.2 發(fā)光二極管（LED）市場發(fā)展現(xiàn)狀
5.1.3 發(fā)光二極管（LED）模塊進出口數(shù)據(jù)
5.1.4 氮化鎵基藍綠光LED發(fā)展歷程
5.1.5 氮化鎵在LED領域的技術突破
5.2 場效應晶體管（FET）
5.2.1 場效應晶體管（FET）發(fā)展概述
5.2.2 GaN FET與硅FET的比較分析
5.2.3 GaN FET產(chǎn)品的應用情況
5.2.4 GaN FET產(chǎn)品研發(fā)進展
5.3 激光二極管（LD）
5.3.1 激光二極管（LD）發(fā)展概述
5.3.2 激光二極管（LD）背景技術
5.3.3 激光器進出口市場數(shù)據(jù)分析
5.3.4 GaN基激光器發(fā)展概況分析
5.3.5 GaN基激光器應用狀況分析
5.3.6 GaN基激光器技術發(fā)展情況
5.3.7 GaN基激光器發(fā)展前景展望
5.4 二極管（Diodes）
5.4.1 二極管（Diodes）發(fā)展概述
5.4.2 二極管進出口市場數(shù)據(jù)分析
5.4.3 氮化鎵二極管技術發(fā)展狀況
5.5 射頻器件（RF）
5.5.1 射頻器件（RF）發(fā)展概述
5.5.2 GaN射頻器件市場發(fā)展狀況
5.5.3 GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
5.5.4 GaN射頻器件主要需求領域
5.6 太陽能電池（Solar Cells）
5.6.1 中國太陽能電池進出口數(shù)據(jù)分析
5.6.2 InGaN/GaN量子阱結(jié)構太陽能電池發(fā)展概述
5.6.3 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
5.6.4 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
5.6.5 InGaN/GaN量子阱結(jié)構太陽能電池發(fā)展展望
第六章 2022-2024年氮化鎵應用領域分析
6.1 氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應用
6.1.1 電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
6.1.2 GaN應用在電力電子領域的優(yōu)勢
6.1.3 GaN電力電子器件分布情況
6.1.4 GaN基電力電子器件關鍵技術
6.1.5 氮化鎵應用機會及趨勢
6.2 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應用
6.2.1 氮化鎵在新能源行業(yè)的優(yōu)勢
6.2.2 氮化鎵在新能源行業(yè)應用潛力
6.2.3 氮化鎵在新能源的機會與挑戰(zhàn)
6.2.4 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)應用前景
6.3 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應用
6.3.1 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中的應用領域
6.3.2 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應用優(yōu)勢
6.3.3 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中未來發(fā)展方向
6.3.4 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中的市場發(fā)展預測
6.4 氮化鎵在通訊設備產(chǎn)業(yè)的應用
6.4.1 氮化鎵在通訊設備市場需求分析
6.4.2 氮化鎵在通訊設備市場技術問題
6.4.3 氮化鎵在通訊設備市場應用前景
6.5 氮化鎵其他領域應用分析
6.5.1 GaN在無線基站領域應用
6.5.2 GaN在紫外探測領域的應用
6.5.3 GaN在紅外探測領域的應用
6.5.4 GaN在壓力傳感器中的應用
6.5.5 GaN在生物化學探測領域的應用
第七章 2022-2024年國際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.1 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
7.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
7.1.3 企業(yè)經(jīng)營狀況
7.2 科沃（Qorvo, Inc.）
7.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2 企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.2.3 企業(yè)經(jīng)營狀況
7.3 亞德諾半導體（Analog Devices, Inc.）
7.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2 企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.3.3 企業(yè)經(jīng)營狀況
7.4 恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
7.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2 企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.4.3 企業(yè)經(jīng)營狀況
7.5 英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
7.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
7.5.3 企業(yè)布局狀況
7.5.4 企業(yè)經(jīng)營狀況
第八章 2021-2024年中國氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.1 蘇州納維科技有限公司
8.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.1.2 企業(yè)主營業(yè)務
8.1.3 企業(yè)項目動態(tài)
8.2 蘇州能訊高能半導體有限公司
8.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.2.2 企業(yè)發(fā)展成就
8.2.3 企業(yè)項目進展
8.3 東莞市中鎵半導體科技有限公司
8.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.3.2 企業(yè)核心技術
8.3.3 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
8.3.4 企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
8.4 三安光電股份有限公司
8.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.4.2 經(jīng)營效益分析
8.4.3 業(yè)務經(jīng)營分析
8.4.4 財務狀況分析
8.4.5 核心競爭力分析
8.5 杭州士蘭微電子股份有限公司
8.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.5.2 經(jīng)營效益分析
8.5.3 業(yè)務經(jīng)營分析
8.5.4 財務狀況分析
8.5.5 核心競爭力分析
8.6 四川海特高新技術股份有限公司
8.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.6.2 企業(yè)的行業(yè)地位
8.6.3 經(jīng)營效益分析
8.6.4 業(yè)務經(jīng)營分析
8.6.5 財務狀況分析
8.6.6 核心競爭力分析
第九章 2025-2029年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預測
9.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
9.1.1 產(chǎn)業(yè)投資機會
9.1.2 企業(yè)并購動態(tài)
9.1.3 投資擴產(chǎn)狀況
9.1.4 市場進入壁壘
9.2 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
9.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
9.2.2 市場應用潛力
9.2.3 市場發(fā)展機遇
9.3 中投顧問對2025-2029年中國氮化鎵市場預測分析
9.3.1 中投顧問對氮化鎵發(fā)展驅(qū)動五力模型分析
9.3.2 中投顧問對2025-2029年中國GaN產(chǎn)能規(guī)模預測
圖表1 半導體發(fā)展歷程
圖表2 硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學性質(zhì)參數(shù)比較
圖表3 半導體材料性能比較
圖表4 砷化鎵/氮化鎵半導體的作用
圖表5 纖鋅礦結(jié)構和閃鋅礦結(jié)構兩種結(jié)構的結(jié)構特性
圖表6 三代半導體材料常溫下部分性質(zhì)
圖表7 半導體材料的主要應用
圖表8 2013-2022年全球半導體材料規(guī)模區(qū)域分布
圖表9 2012-2023年中國半導體材料市場規(guī)模
圖表10 2015-2023年中國半導體材料相關企業(yè)注冊數(shù)量
圖表11 半導體材料主要應用于晶圓制造與封測環(huán)節(jié)
圖表12 GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)
圖表13 GaN外延用不同襯底的對比
圖表14 GaN器件主要產(chǎn)品與工藝技術
圖表15 GaN器件發(fā)展史
圖表16 各國第三代半導體相關政策
圖表17 各國對于第三代半導體廠商相關補貼
圖表18 2020-2023年中國GaN產(chǎn)能
圖表19 氮化鎵（GaN）應用狀況
圖表20 2015-2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠暾埣笆跈嗔?br />
圖表21 2015-2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠厔?br />
圖表22 截至2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠愋?br />
圖表23 截至2024年中國氮化鎵技術領域發(fā)明專利審查時長
圖表24 截至2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠蔂顟B(tài)
圖表25 截至2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠墒录?br />
圖表26 截至2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠暾堉袊∈蟹植?br />
圖表27 截至2024年中國氮化鎵技術領域主要技術分支的專利分布
圖表28 2015-2024年中國氮化鎵技術領域技術分支申請趨勢
圖表29 截至2024年中國氮化鎵技術領域重要技術分支主要申請人分布
圖表30 截至2024年中國氮化鎵技術領域技術功效矩陣
圖表31 截至2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠暾埲伺琶?br />
圖表32 截至2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠卸?br />
圖表33 截至2024年中國氮化鎵技術領域新入局者披露
圖表34 截至2024年中國氮化鎵技術領域合作申請分析
圖表35 截至2024年中國氮化鎵技術領域主要申請人技術分析
圖表36 截至2024年中國氮化鎵技術領域主要申請人申請趨勢
圖表37 截至2024年中國氮化鎵技術領域發(fā)明人排名
圖表38 截至2024年中國氮化鎵技術領域發(fā)明人申請趨勢
圖表39 截至2024年中國氮化鎵技術領域發(fā)明人團隊分析
圖表40 截至2024年中國氮化鎵技術領域技術創(chuàng)新熱點
圖表41 截至2024年中國氮化鎵技術領域?qū)＠枯^多的技術
圖表42 圖表 2020-2024年中國氮化鎵技術領域旭日圖
圖表43 2020-2024年中國氮化鎵技術領域熱門主題不同層級的專利申請分布情況
圖表44 氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈境內(nèi)外主要廠商
圖表45 主流USB PD快充充電器代工廠匯總（一）
圖表46 主流USB PD快充充電器代工廠匯總（二）
圖表47 主流USB PD快充充電器代工廠匯總（三）
圖表48 主流USB PD快充充電器代工廠匯總（四）
圖表49 主流USB PD快充充電器代工廠匯總（五）
圖表50 LED的生產(chǎn)流程
圖表51 LED器件按封裝形式分類
圖表52 LED器件按應用領域分類
圖表53 2011-2022年中國LED行業(yè)整體市場規(guī)模
圖表54 2023年中國LED產(chǎn)業(yè)園區(qū)分布情況
圖表55 2022-2024年中國發(fā)光二極管（LED）模塊進出口總額
圖表56 GaN FET SOA曲線示例
圖表57 電感硬開關測試電路
圖表58 Transphorm汽車級GaN FET產(chǎn)品示意圖
圖表59 2019-2024年中國激光器進出口總量
圖表60 2019-2024年中國激光器進出口總額
圖表61 GaN材料體系（GaN、InGaN和AlGaN）將半導體激光器波長擴展到可見光和紫外波段
圖表62 具有Pd/Pt/Au的傳統(tǒng)GaN基激光器結(jié)構示意圖或具有ITO限制層的GaN基激光器結(jié)構示意圖
圖表63�。╝）氮化鎵/藍寶石模板和（b）GaN自支撐襯底的位錯缺陷對比（圖中暗斑為位錯缺陷）
圖表64�。╝）由于外延結(jié)構各層生長條件差異大導致藍光激光器結(jié)構中出現(xiàn)暗斑缺陷；（b）優(yōu)化生長條件消除暗斑缺陷的激光器外延片
圖表65 以ITO代替部分p-AlGaN光限制層的復合激光器結(jié)構示意圖
圖表66 InGaN多量子阱激光器結(jié)構
圖表67 InGaN多量子阱脊型激光器結(jié)構
圖表68 藍激光在25℃下發(fā)射的連續(xù)激光光譜
圖表69 綠激光在閾值電流以下和以上的EL光譜
圖表70 二極管結(jié)構圖
圖表71 二極管的圖形符號
圖表72 硅二極管典型伏安特性曲線
圖表73 二極管的好壞判斷
圖表74 2019-2024年中國二極管進出口總量
圖表75 2019-2024年中國二極管進出口總額
圖表76 2020年我國SiC、GaN電力電子器件下游應用領域
圖表77 2020年我國GaN射頻器件下游應用領域
圖表78 2024年中國太陽能電池進出口數(shù)據(jù)
圖表79 2024年中國太陽能電池分產(chǎn)品出口額情況
圖表80 2024年中國太陽能電池分產(chǎn)品出口量情況
圖表81 2024年中國太陽能電池分產(chǎn)品進口額情況
圖表82 2024年中國太陽能電池分產(chǎn)品進口量情況
圖表83 2024年中國前十大太陽能電池出口目的地
圖表84 2024年中國前十大太陽能電池進口來源地
圖表85 2024年中國太陽能電池產(chǎn)品分省出口情況
圖表86 2024年中國太陽能電池產(chǎn)品分省進口情況
圖表87 InGaN材料帶隙對應的AM1.5太陽光譜的覆蓋
圖表88 量子阱區(qū)域結(jié)構設計對InGaN/GaN量子阱太陽能電池特性的影響
圖表89 光強和溫度對InGaN/GaN量子阱太陽電池性能的影響
圖表90 表面納米結(jié)構InGaN/GaN量子阱太陽能電池的性能特性
圖表91 具有反射鏡結(jié)構的InGaN/GaN量子阱太陽電池特性
圖表92 垂直InGaN/GaN量子阱太陽能電池結(jié)構圖
圖表93 垂直結(jié)構InGaN/GaN量子阱太陽能電池的性能特性
圖表94 GaN器件應用領域及電壓分布情況
圖表95 2023-2024財年MACOM綜合收益表
圖表96 2024-2025財年科沃綜合收益表
圖表97 2023-2024財年亞德諾綜合收益表
圖表98 2023-2024年恩智浦季度總營收
圖表99 蘇州納維發(fā)展歷程
圖表100 能訊半導體國家級項目
圖表101 能訊半導體省級項目
圖表102 中鎵科技集團組織架構
圖表103 三安光電股份有限公司主要業(yè)務
圖表104 2021-2024年三安光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表105 2021-2024年三安光電股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表106 2021-2024年三安光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表107 2024年三安光電股份有限公司營業(yè)收入構成
圖表108 2021-2024年三安光電股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表109 2021-2024年三安光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表110 2021-2024年三安光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表111 2021-2024年三安光電股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表112 2021-2024年三安光電股份有限公司運營能力指標
圖表113 2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表114 2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表115 2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司凈利潤及增速
圖表116 2024年杭州士蘭微電子股份有限公司主營業(yè)務分行業(yè)、分產(chǎn)品、分地區(qū)情況
圖表117 2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表118 2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表119 2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司短期償債能力指標
圖表120 2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表121 2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司運營能力指標
圖表122 2021-2024年四川海特高新技術股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表123 2021-2024年四川海特高新技術股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表124 2021-2024年四川海特高新技術股份有限公司凈利潤及增速
圖表125 2024年四川海特高新技術股份有限公司營業(yè)收入構成
圖表126 2021-2024年四川海特高新技術股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表127 2021-2024年四川海特高新技術股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表128 2021-2024年四川海特高新技術股份有限公司短期償債能力指標
圖表129 2021-2024年四川海特高新技術股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表130 2021-2024年四川海特高新技術股份有限公司運營能力指標
圖表131 2023-2030年全球GaN功率元件市場規(guī)模
圖表132 中投顧問對氮化鎵行業(yè)發(fā)展驅(qū)動五力模型分析
圖表133 中投顧問對2025-2029年中國GaN產(chǎn)能規(guī)模預測
氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）是一種寬禁帶半導體材料，在電力電子、射頻（RF）器件和光電子領域有著廣泛的應用。與傳統(tǒng)的硅基材料相比，GaN具有更高的電子遷移率、擊穿電場強度和熱導率，能夠在高溫、高頻和高功率條件下工作，因此在提高能效和減小設備體積方面展現(xiàn)出巨大潛力。
近年來，隨著技術的進步和市場需求的增長，全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)進入了快速發(fā)展階段。特別是在射頻電子領域，如5G通信基站中的功率放大器，GaN技術因其出色的性能而受到青睞。此外，在電動汽車/混合動力汽車的電源管理系統(tǒng)中，GaN也顯示出了替代傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品的趨勢。預計未來幾年內(nèi)，全球GaN市場的復合年增長率將保持較高水平。
在中國，氮化鎵行業(yè)同樣呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展的態(tài)勢。中國政府高度重視半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并將其列為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之一。隨著國內(nèi)企業(yè)對GaN技術研發(fā)投入的增加，中國在這一領域的競爭力不斷增強。目前，中國不僅擁有完整的GaN產(chǎn)業(yè)鏈，包括材料生長、器件制造、封裝測試等環(huán)節(jié)，而且在某些細分市場上已經(jīng)達到了國際領先水平。例如，在消費電子快充領域，中國品牌推出的基于GaN的充電器已經(jīng)在全球范圍內(nèi)獲得廣泛應用。2024年1-6月，中國（含臺灣）半導體行業(yè)投資資金按項目類別來看硅片投資占比最高，占比約為48.9%，投資金額達到327.3億人民幣；Sic/Gan投資占比約為16.9%，投資金額達到113.5億人民幣。
為了推動氮化鎵行業(yè)的發(fā)展，中國政府出臺了一系列政策措施給予支持。這些政策包括但不限于研發(fā)資金補助、稅收減免、知識產(chǎn)權保護以及設立國家級創(chuàng)新平臺等。例如，《中國制造2025》規(guī)劃明確提出要大力發(fā)展新一代信息技術產(chǎn)業(yè)，其中就包括了氮化鎵在內(nèi)的新材料。此外，地方政府也在積極推動地方性產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃，為相關企業(yè)提供更多的成長空間。
中投產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2029年中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)深度調(diào)研及投資前景預測報告》共九章。首先介紹了氮化鎵的概念、特性、制備方法等，接著分析了半導體材料和氮化鎵產(chǎn)業(yè)的整體發(fā)展狀況。然后報告從企業(yè)競爭、市場主要類型、應用領域、國內(nèi)外企業(yè)等方面對氮化鎵行業(yè)進行了系統(tǒng)解析，最后報告對氮化鎵產(chǎn)業(yè)的投資潛力及發(fā)展前景進行了科學的預測。
本研究報告數(shù)據(jù)主要來自于國家統(tǒng)計局、國家海關總署、商務部、財政部、工信部、中投產(chǎn)業(yè)研究院、中投產(chǎn)業(yè)研究院市場調(diào)查中心以及國內(nèi)外重點刊物等渠道，數(shù)據(jù)權威、詳實、豐富，同時通過專業(yè)的分析預測模型，對行業(yè)核心發(fā)展指標進行科學地預測。您或貴單位若想對氮化鎵產(chǎn)業(yè)有個系統(tǒng)深入的了解、或者想投資該行業(yè)，本報告將是您不可或缺的重要參考工具。
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